发明名称  全文 
 
 
 
专利号:200810086977
 
 
 
 
 
 
 
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本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括:栅极氧化物层,形成在硅基底上;至少一个Ge纳米棒,埋入在栅极氧化物层中,其中,Ge纳米棒的两端被暴露;源电极和漏电极,连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧;栅电极,在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。

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一种场效应晶体管,包括:    栅极氧化物层,位于硅基底上;    至少一个Ge纳米棒,埋入在栅极氧化物层中,其中,至少一个Ge纳米棒的两端被暴露;    源电极和漏电极,连接到Ge纳米棒的相对侧;    栅电极,在源电极和漏电极之间位于栅极氧化物层上。
 


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专利号:
200810086977
申请日:
2008年4月3日
公开/公告日:
2008年11月5日
授权公告日:
申请人/专利权人:
三星电子株式会社
国家/省市:
韩国(KR)
邮编:
发明/设计人:
文昌郁、田重锡、李正贤、李来寅、朴连植、李化成、李浩、赵世泳、金锡必
代理人:
郭鸿禧 邱玲
专利代理机构:
(11286)
专利代理机构地址:
()
专利类型:
发明
公开号:
101299440
公告日:
授权日:
公告号:
000000000
优先权:
韩国2007年5月3日10-2007-0043025
审批历史:
附图数:
7
页数:
8
权利要求项数:
3
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